삼성전자가 세계 최초로 차세대 인공지능(AI) 가속기의 핵심이 될 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급하며 고대역폭 메모리(HBM) 시장의 기술 리더십 확보에 나섰다.

이번 공급은 지난 2월 HBM4 양산 출하에 성공한 지 불과 수개월 만에 이루어진 것으로, 급성장하는 글로벌 AI 인프라 시장에서 기술적 우위를 확고히 다지기 위한 포석으로 풀이된다.

삼성전자의 HBM4E는 설계 및 공정 최적화를 통해 성능을 대폭 끌어올렸다. 핀당 동작 속도는 최소 14Gbps에서 최대 16Gbps를 지원해 전작인 HBM4 대비 20% 이상 향상됐다. 단일 스택 기준 초당 3.6TB(테라바이트)의 대역폭을 제공해 대규모 언어 모델(LLM)과 차세대 AI 시스템의 연산 속도를 극대화할 수 있다.

용량 역시 크게 개선됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB(기가바이트)의 고용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 삼성전자는 향후 고객사의 다양한 서비스 환경에 맞춰 32GB(8단)와 64GB(16단)까지 제품 라인업을 확대할 계획이다.

이번 제품은 삼성전자가 보유한 선단 공정 기술의 시너지가 극대화된 것이 특징이다. 이미 검증된 최선단 공정 기반의 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리의 4나노 로직 다이(Die)를 적용해 초미세 공정의 안정성을 높이고 수율과 양산성을 동시에 확보했다.

또한 저전력 설계 및 패키징 구조 최적화 기술을 통해 전작 대비 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 이를 통해 고부하 AI 연산 환경의 발열 문제를 해결하고 글로벌 데이터센터의 전력 소모를 줄이는 솔루션을 제공한다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객사 일정에 맞춰 양산에 돌입할 예정이다. 특히 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징까지 아우르는 '원스톱(One-Stop) 턴키 솔루션'을 기반으로 안정적인 공급망을 구축할 방침이다.

삼성전자 메모리사업부 개발담당 황상준 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며, "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 강조했다.

한편 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 양산 출하한 HBM4의 공급도 확대하고 있다. 글로벌 고객사들로부터 속도와 전력 효율 측면에서 긍정적인 평가를 받고 있는 HBM4는 지난해 12월 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps의 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다. HBM4E와 동일한 1c D램 및 4나노 베이스 다이 조합이 적용된 만큼, 이번에 출하한 HBM4E 역시 원활한 양산 전환이 가능할 것으로 전망된다.